南亞科:DRAM市場上半年可望復甦 衝刺高價值產線中央社記者張建中新竹28日電 (2025-04-28 13:09:59)

動態隨機存取記憶體(DRAM)廠南亞科預期,常規DRAM市場可能在上半年開始復甦,公司將積極調整產線,朝DDR5、LPDDR5等高價值產品線發展,盡快達成轉虧為盈目標。

南亞科董事長吳嘉昭在營業報告書中表示,2025年起個人電腦、手機及消費性電子產品可望回溫,加上業者庫存逐季改善,常規DRAM市場可能在上半年開始復甦。

吳嘉昭指出,伺服器整體出貨可望持續成長,將帶動高頻寬記憶體(HBM)與高容量DDR5模組出貨增長。手機業者庫存逐步回到正常水位,且因導入人工智慧(AI)功能,預期整體手機出貨量及DRAM搭載量可望成長。

個人電腦方面,吳嘉昭說,因作業系統更新,帶動企業換機需求,且隨著AI PC推出,DRAM搭載量將同步增長。

吳嘉昭表示,其他消費性電子產品需求,短期因中國刺激方案改善需求,加上庫存降低推升單價,但美國對等關稅引起終端需求的不確定性,後續仍需持續觀察。

至於技術發展,吳嘉昭指出,南亞科預計今年完成16Gb DDR5微縮版及16Gb LPDDR4驗證,另外8Gb及16Gb LPDDR5產品也將導入試產。使用10奈米3世代製程技術的先導產品將於2025年下半年進入試產,使用10奈米第4世代製程技術的先導產品將於2026年第1季導入試產。

吳嘉昭說,AI相關高頻寬記憶體(HBM)產品需要以下關鍵元素,包括高密度先進產品16Gb DDR5、3D IC矽穿孔製程(TSV)及多晶片封裝、高頻寬產品設計、邏輯基礎IC。

吳嘉昭表示,南亞科自2017年開始重建自主研發團隊,已推出2個10奈米級世代產品技術,於2024年底量產第2世代的16Gb DDR5。目前正積極重建TSV及多晶片封裝,與高頻寬產品設計能力。同時以策略性投資及合作建構邏輯基礎IC及HBM整合,預計2026年底達驗證目標。
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