封測廠日月光半導體今天宣布推出具備矽穿孔（TSV）的扇出型基板上晶片橋接（FOCoS-Bridge）封裝技術，可讓新一代人工智慧（AI）和高效能運算（HPC）晶片應用的功率損耗降低3倍。
日月光透過新聞稿說明，小晶片（Chiplet）和高頻寬記憶體（HBM）整合需要更高的互連密度，以高速的平行資料連接並保持訊號完整性。其中，高密度互連是晶片整合的關鍵技術。
日月光指出，AI和HPC電力傳輸需求複雜，需要具備矽穿孔TSV的先進橋接晶片，日月光FOCoS-Bridge高密度封裝平台可嵌入被動和主動晶片，提高電源完整性並提供直接存取來增進效能。
日月光說明，平台具備兩個相同的扇出模組組成的測試載具（Test Vehicle），每個模組以4個TSV橋接晶片以及10個整合式被動元件晶片，橫向互連一個特殊應用晶片（ASIC）和4個HBM3晶片，可突破傳統電性互連侷限，落實處理器、加速器和記憶體模組之間的高速、低延遲、節能的數據通訊。
另外，日月光表示，FOCoS-Bridge平台可落實整合系統單晶片（SoC）、小晶片與高頻寬記憶體，透過採用矽穿孔，FOCoS-Bridge可提高運算和能源效率。
新聞
