
晶圓代工廠聯電(2303)今天宣布,與imec簽署技術授權協議,取得imeciSiPP300矽光子製程,將加速聯電的矽光子技術發展藍圖。藉由這次授權合作,聯電將推出12吋矽光子平台,瞄準下世代高速連接應用市場。
聯電發布新聞稿,資深副總經理洪圭鈞表示,取得imec最先進的矽光子製程技術授權,有助於聯電加速12吋矽光子平台的發展進程。聯電正與多家新客戶合作,預計在這平台提供用於光收發器的光子晶片,並於2026及2027年展開風險試產。
洪圭鈞說,結合多元的先進封裝技術,聯電未來系統架構將朝共封裝光學與光學輸入輸出(I/O)等更高整合度的方向邁進,為資料中心內部及跨資料中心提供高頻寬、低能耗且高度可擴展的光互連應用解決方案。
聯電表示,隨著AI數據負載日益增加,傳統銅互連面臨瓶頸,矽光子技術以光傳輸數據,正快速發展,以滿足資料中心、高效能運算及網路基礎設施對超高頻寬、低延遲及高能源效率的需求。
聯電指出,透過結合imec經驗證的12吋矽光子製程技術、加上自家在絕緣層上覆矽(SOI)晶圓製程的專業,以及過往8吋矽光子量產經驗,可為客戶提供高度可擴展的光子晶片(PIC)平台。