工研院赴日 發表車用驅動碳化矽功率模組nownews (2025-01-22 16:53:22)


工研院今(22)於日本國際電子製造關連展(NEPCON JAPAN)發表車用碳化矽(SiC)技術解決方案。(圖/工研院提供)

[NOWnews今日新聞] 工研院今(22)日在日本國際電子製造關連展(NEPCON JAPAN)發表車用碳化矽(SiC)技術解決方案,並以「電動車驅動及充電方案」、「功率氮化鎵(GaN)」、「功率氧化鎵(Ga2O3)」以及「400kW大電力直流變壓器」四大專區,展示逾10項新一代寬能隙功率半導體前瞻技術成果。

工研院電子與光電系統研究所所長張世杰表示,電動車是淨零運輸的主流,為了符合低碳永續趨勢又要兼具續航力,且能在高壓、高溫下穩定運行,具備更高的功率密度的寬能隙化合物半導體(Wide-bandgap Semiconductor;WBG)材料之一碳化矽(SiC),成為目前電動車技術深受關注的元件材料。

工研院長期投入化合物功率半導體的發展,提供完整且高轉換效率的「車載碳化矽技術解決方案」,涵蓋碳化矽功率元件與模組化、馬達驅動、車載充電與充電樁等電動車核心技術,本次展出與台達共同開發的碳化矽功率模組,是具備提升電動車動力效能、延長續航能力、加速充電設備發展的最新車載半導體技術。

「1200V/660A T2系列碳化矽功率模組」採用碳化矽功率半導體製程,主要應用於牽引變頻器(Traction Inverter),可加強散熱效果並降低耗能,同時提高系統功率密度,有效降低變頻器產品的體積與重量,延長電動車續航里程,並提升車輛加速與動力輸出。

「400kW大電力直流變壓器」展區中,也展出工研院與美國阿肯色大學(University of Arkansas)合作,透過工研院開發的3.3kV碳化矽功率模組整合於400kW直流變壓器。此變壓器進行系統效能的驗證,證實同樣於直流電壓1800V、電流375A、操作溫度150℃的條件下,模組切換損失比商用模組節省30%,系統效率並可達到98%以上的效能。

工研院致力下世代功率元件的設計開發,本次展出利用先進製程產出的「氮化鎵」、「氧化鎵」等功率元件,已有不少國內外車用零組件廠商聯繫與洽詢。面對新時代的機會與挑戰,工研院持續聚焦市場新價值、新需求,擬定《2035技術策略與藍圖》作為研發方向,並發展「智慧化致能技術」以促成智慧車輛應用領域,深化跨領域合作優勢,用技術研發推進產業經濟與社會永續發展,持續與國內外夥伴深化合作,加速技術商業化與應用推廣,為電動車與半導體產業注入更多動能。



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