晶圓代工廠聯電今天宣布，推出55奈米雙極互補擴散金氧半導體（BCD）平台，為下世代行動裝置、消費電子、車用與工業應用實現更高的電源效率與系統整合。聯電發布新聞稿表示，BCD技術能在單一晶片上整合類比、數位與電力元件，廣泛應用於電源管理與混合訊號IC。55奈米BCD平台提供多元化電源IC應用的解決方案，以滿足不同應用領域對效能與可靠度的需求。聯電指出，非磊晶製程具備高性價比方案，為行動及消費裝置提供電源效率與性能。磊晶製程符合車規AEC-Q100 Grade 0標準，支援150V操作電壓，提升車用電子的可靠性。至於絕緣層上覆矽（SOI）製程，聯電表示，符合車規AEC-Q100 Grade 1標準，具備抗雜訊特性、高速運作與超低漏電性能，適合高階車用與工業使用。聯電技術研發副總經理徐世杰說，推出55奈米BCD平台，將可完善聯電的特殊製程產品組合，強化在電源管理市場的競爭優勢。
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晶圓代工廠聯電今天宣布，推出55奈米雙極互補擴散金氧半導體（BCD）平台，為下世代行動裝置、消費電子、車用與工業應用實現更高的電源效率與系統整合。